半导体KOKUSAI DD-802V立式扩散炉设备

一、温度性能

最高温度：1000°C（采用双区加热结构优化热场分布）。

控温精度：±1°C（级联热控系统结合 PID 算法与自动调谐功能）。

温度均匀性：行业标准通常要求优于 ±0.5~1°C（针对 6-8 英寸晶圆），推测 DD-802V 可满足该水平。

升温速率：支持快速升温，具体数值未明确，但同类设备通常可达 25°C/min 以上。

二、晶圆处理能力

兼容尺寸：6 英寸（150mm）和 8 英寸（200mm）晶圆。

最大装载量：8 英寸晶圆单次可装载 100 片，6 英寸可达 150 片，采用标准石英舟组件。

处理方式：垂直批量处理，提升生产效率并降低成本。

三、气体与真空系统

气体控制：支持多种工艺气体（如氧气、氮气、硅烷等），配备质量流量计（MFC）实现精确流量控制。

真空功能：可能支持低真空环境（参考同类立式炉，如 DJ-802V 的 LPCVD 功能需真空至 100Pa 以下）。

四、控制与操作

界面：7 英寸彩色触摸屏或 PC 软件（如 Proflux 或 Controllancer）编程，支持多段温度曲线设置。

安全功能：过温保护、泄漏检测、断电报警等。

五、结构设计

炉体类型：立式结构，节省空间且便于维护。

加热区：双区加热设计，优化温度分布。

六、适用工艺

氧化：干氧、湿氧（去离子水或氢氧合成）工艺。

扩散：硼扩、磷扩（支持液态源或固态源）。

退火与合金：高温退火及合金化处理。

七、其他参数

电源：需工业级三相电源（具体电压 / 功率未明确）。

冷却系统：依赖外部冷却水（参考同类设备，流量约 500cc/min）。