半导体KOKUSAI DD-802V立式扩散炉设备

一、温度性能

最高温度:1000°C(采用双区加热结构优化热场分布)。

控温精度:±1°C(级联热控系统结合 PID 算法与自动调谐功能)。

温度均匀性:行业标准通常要求优于 ±0.5~1°C(针对 6-8 英寸晶圆),推测 DD-802V 可满足该水平。

升温速率:支持快速升温,具体数值未明确,但同类设备通常可达 25°C/min 以上。

二、晶圆处理能力

兼容尺寸:6 英寸(150mm)和 8 英寸(200mm)晶圆。

最大装载量:8 英寸晶圆单次可装载 100 片,6 英寸可达 150 片,采用标准石英舟组件。

处理方式:垂直批量处理,提升生产效率并降低成本。

三、气体与真空系统

气体控制:支持多种工艺气体(如氧气、氮气、硅烷等),配备质量流量计(MFC)实现精确流量控制。

真空功能:可能支持低真空环境(参考同类立式炉,如 DJ-802V 的 LPCVD 功能需真空至 100Pa 以下)。

四、控制与操作

界面:7 英寸彩色触摸屏或 PC 软件(如 Proflux 或 Controllancer)编程,支持多段温度曲线设置。

安全功能:过温保护、泄漏检测、断电报警等。

五、结构设计

炉体类型:立式结构,节省空间且便于维护。

加热区:双区加热设计,优化温度分布。

六、适用工艺

氧化:干氧、湿氧(去离子水或氢氧合成)工艺。

扩散:硼扩、磷扩(支持液态源或固态源)。

退火与合金:高温退火及合金化处理。

七、其他参数

电源:需工业级三相电源(具体电压 / 功率未明确)。

冷却系统:依赖外部冷却水(参考同类设备,流量约 500cc/min)。

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